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Brillen Transistoren
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Material1
INTERNATIONAL RECTIFIER Leistungs-MOSFET IRF540NBBF
Für Nf-Verstärker und Schaltanwendungen. Kompl. = Bc328-16 Technische Daten: Kollektor-Emitter-Spannung: 25 V Emitter-Basis-Spannung: 5 V Kollektorstrom: 0,8 A Verlustleistung @Ta=25 °C: 0,625 W Betriebstemperatur: -65 -150 °C Montage: THT Transistortyp: NPN Herstellerbezeichnung: Bc338-16 Gehäuse: To-92
Für NF-Verstärker- und Schaltanwendungen, kompl.=2 N3906 Technische Daten: Kollektor-Emitter-Spannung: 40 V Kollektor-Basis-Spannung: 60 V Emitter-Basis-Spannung: 6 V Kollektorstrom: 0,2 A Verlustleistung @Ta=25 °C: 0,625 W Betriebstemperatur: -55 - 150 °C Montage: THT Polatität: NPN Herstellerbezeichnung: 2N3904 Gehäuse: To-92
EVERLIGHT Doppel-Fototransistor PT5529B; NPN; Infrarot; Flachgehäuse mit Seitenlinse;
0,13 €
Schneller, empfindlicher Doppel-Fototransistor mit gemeinsamen Kollektor; im schwarzen Gehäuse; ohne Basisanschluss; RoHS konform. Technische Daten: Wellenlänge (50%-max-50%): 400-940-1100 nm Empfindlichkeit: 0,13 … 1,1 mA @ 0,555 mW/cm², Vce= 5V Öffnungswinkel: k. A. VCE max.: 30V mA VEC max.: 5 V IC max.: 20 mA IC off: 100 nA @ Vce=20 V tr: 15...
Pollin.de
ON SEMICONDUCTOR Transistor, BSS84LT1G , SMD, Kleinleistung
Darlingtontransistor für NF-Verstärker- und Schaltanwendungen. Kompl. = Bd680 Technische Daten: Kollektor-Emitter-Spannung: 80 V Kollektor-Basis-Spannung: 80 V Emitter-Basis-Spannung: 5 V Kollektorstrom: 4 A Verlustleistung @Ta=25 °C: 1,25 W Betriebstemperatur: -55 -150 °C Montage: THT Polatität: NPN Herstellerbezeichnung: Bd679 Gehäuse: To-126
Pollin.de
INTERNATIONAL RECTIFIER Leistungs-MOSFET IRF9530NPBF
ON SEMICONDUCTOR J-FET, Kleinsignaltransistor, J175, P-Channel, TO-92
0,34 €
Für Analogschalter; Sample-Hold Schaltungen; Chopper-Verstärker. Impedanzwandler; Konstantstromquellen; steuerbare Widerstände in Regelschaltungen usw; Montage Tht. Weitere J-FETs für diese Anwendungen: J176; (N-Ch.: J111; J112; J113). Technische Daten: U DG max:-30 V U GS max: 30 V I GF max: 50 mA U GS-off: 3 … 6 V I DSS min: -7 … -60 mA g fs:...
HF-Transistor für VHF und schnelle Schalteranwendungen Technische Daten: Kollektor-Emitter-Spannung: 40 V Kollektor-Basis-Spannung: 75 V Emitter-Basis-Spannung: 6 V Kollektorstrom: 0,8 A Verlustleistung @Ta=25 °C: 0,5 W Betriebstemperatur: -65 - 200 °C Montage: THT Polatität: NPN Herstellerbezeichnung: 2N2222A Gehäuse: To-18
Pollin.de
JOYIN Varistor Metalloxid 100 mW, 25 V~, RM7,5
0,18 €
Joyin Varistor Jvr14N, 39 V ± 10%, 31 V-, 25 V~, 100 mW, Rastermaß 7,5 mm Technische Daten: Hersteller: Joyin Varistor-Typ: Metalloxid Varistorspannung: 39 V Spannungstoleranz Varistor: ±10 % Gehäuseabmessungen max.Ø: 16,5 mm Ausgangsraster: 7,5 mm Leistung 100 mW Max. Betriebsspannung: 39 V~, 31 V-
EVERLIGHT Fototransistor PT908-7C; NPN; Tageslicht und Infrarot; Flachgehäuse mit Seitenlinse;
0,13 €
Schneller, empfindlicher Fototransistor im wasserklaren Gehäuse; ohne Basisanschluss; RoHS konform. Technische Daten: Wellenlänge (50%-max-50%): 400-940-1100 nm Empfindlichkeit: 0,8 … 5,0 mA @ 0,555 mW/cm², Vce= 5 V Öffnungswinkel: k. A. VCE max: 30 V VEC max: 5 V IC max: 20 mA IC off: 100 nA @ Vce=20 V tr: 15 µsec tf: 15 µsec PV max: 75 mW @ 25 °C...
INTERNATIONAL RECTIFIER Leistungs-MOSFET IRFB4110PBF
2,90 €
Uds 100 V, Id25 180 A, Rds(on) 0,0045 Ω, Ugs(th) 2 V, td(on) 25 ns, td(off) 78 ns, To-220. Technische Daten: Typ: Leistungs-MOSFET Bauform: To-220Ab max. Drain-Source Voltage (Uds): 100 V max. Continuous Drain Current at Tc 25°(Id25): 180 A max. Drain-Source On-Resistance (Rds on): 0,0045 Ω min. Gate Thereshold Voltage (Ugs th): 2 V Turn On Delay...
Pollin.de
Transistor, BSW65
0,68 €
Bsw65 - To39
Pollin.de
Wiha 2831-15 TX T8x75 slimVario
5,87 €
slimVario bis zu 33% schlankere Klingen durch integrierte Isolation Durch die integrierte Schutzisolation können tief liegende Schraub- und Federelemente erreicht und betätigt werden. Hochwertiger Chrom-Vanadium Stahl, durchgehend gehärtet, brüniert. Direkt auf den Bit gespritzte Schutzisolation, die ab Größe 4,0 im vorderen Bereich vollständig in...
Für Nf-Verstärker und Schaltanwendungen. Kompl. = Bc558A Technische Daten: Kollektor-Emitter-Spannung: 30 V Kollektor-Basis-Spannung: 30 V Emitter-Basis-Spannung: 5 V Kollektorstrom: 0,1 A maximaler Kollektorstrom: 0,2 A Verlustleistung @Ta=25 °C: 0,5 W Betriebstemperatur: -65 -150 °C Montage: THT Transistortyp: NPN Herstellerbezeichnung: Bc548A...
Für Nf-Verstärker und Schaltanwendungen bis 160V, kompl = 2N5401 Technische Daten: Kollektor-Emitter-Spannung: 160 V Kollektor-Basis-Spannung: 180 V Emitter-Basis-Spannung: 6 V Kollektorstrom: 600 mA Verlustleistung @Ta=25 °C: 625 mW Betriebstemperatur: 150 °C Montage: THT Polatität: NPN Herstellerbezeichnung: 2N5551 Gehäuse: To-92
Für Nf-Verstärker und Schaltanwendungen. Kompl. = Bc557A Technische Daten: Kollektor-Emitter-Spannung: 45 V Kollektor-Basis-Spannung: 50 V Emitter-Basis-Spannung: 6 V Kollektorstrom: 0,1 A maximaler Kollektorstrom: 0,2 A Verlustleistung @Ta=25 °C: 0,5 W Betriebstemperatur: -65 -150 °C Montage: THT Transistortyp: NPN Herstellerbezeichnung: Bc547A...
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JOYIN Varistor Metalloxid 250 mW, 275 V~, RM5
0,10 €
Joyin Varistor Jvr07N, 430 V ± 10 %, 350 V- 275 V~, 250 mW, Rastermaß 5,0 mm Technische Daten: Hersteller: Joyin Varistor-Typ: Metalloxid Varistorspannung: 430 V Spannungstoleranz Varistor: ±10 % Gehäuseabmessungen max.Ø: 9 mm Ausgangsraster: 5 mm Leistung 250 mW Max. Betriebsspannung: 430 V~, 275 V-
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FISCHER Glimmerscheiben TO-220
0,06 €
Zur Verwendung als Isolierscheibe zwischen Transistor und Kühlkörper. Technische Daten: Für Transistor To-220 Material: Muskovit Materialstärke: 0,05 mm Wärmewiderstand: 0,4 K/W Durchschlagsfestigkeit: 5 kV
HF-Transistor für VHF und schnelle Schalteranwendungen Technische Daten: Kollektor-Emitter-Spannung: 30 V Kollektor-Basis-Spannung: 60 V Emitter-Basis-Spannung: 5 V Kollektorstrom: 0,8 A Verlustleistung @Ta=25 °C: 0,5 W Betriebstemperatur: -65 - 200 °C Montage: THT Polatität: NPN Herstellerbezeichnung: 2N2222 Gehäuse: To-18
Pollin.de
ST MICROELECTRONICS Transistor TIP125, PNP-Darl., 60V, 5A, 65W, TO220
0,43 €
PNP Darlington-Paar,Uceo 60 V, Ic 5 A, hFE 1000, To-200 3-Pin
Transistor BDX54C, PNP-Darl., 100 V, 8 A, 60 W, TO220
0,50 €
Leistungstransistor Bdx54C, PNP-Darlington., 100 V, 8 A, 60 W, To220
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ON SEMICONDUCTOR J-FET, Kleinsignaltransistor, J111, N-Channel, TO-92
0,25 €
Für Analogschalter; Sample-Hold Schaltungen; Chopper-Verstärker; Impedanzwandler (Fotodioden); NF/(HF)-Verstärker; Konstantstrom-Quellen; Steuerbare Widerstände in Regelschaltungen; Gitarrenverstärker usw.; Montage Tht. Weitere J-FETs für diese Anwendungen: J112; J113; (P-Ch.: J175; J176). Technische Daten: U DG max:35 V U GS max: -35 V I GF max:...
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ST MICROELECTRONICS Darlington-Transistor ULN2804A, STMICROELECTRONICS
1,65 €
Technische Daten: Polung: NPN Konfiguration: Octal Montage: Durchkontaktierung Betriebstemperatur: -20 °C - 85 °C Anzahl Pins: 18
Für Nf-Verstärker und Schaltanwendungen. Kompl. = Bd136-16 Technische Daten: Kollektor-Emitter-Spannung: 45 V Kollektor-Basis-Spannung: 45 V Emitter-Basis-Spannung: 5 V Kollektorstrom: 1,5 A Gesamtverlustleistung: 1,25 W Betriebstemperatur: -65 -150 °C Montage: THT Transistortyp: NPN Herstellerbezeichnung: Bd135-16 Gehäuse: To-126